利用超高温激光共聚焦显微镜实时原位观察奥氏体晶粒的长大行为

图1：奥氏体晶界迁移过程

由图1可以看出奥氏体晶粒长大的实质其实是晶界迁移的过程。晶界迁移的方式主要有以下几种：

1)角隅的迁移、合并及消失过程。图1中A区域中黑色箭头所指的角隅沿着红色箭头方向迁移,角隅的移动激发临近一条晶界的迁移,如图1(b)所示。可能原因是由于晶粒内部第二相钉扎力较弱,角隅沿着晶界向晶粒内部或晶界另一端开始生长，伴随着临近晶界也向晶粒内部或晶界另一端移动、缩小，直至达到一个较为稳定的状态,如图1(d)所示。

2)如图1中区域B所示,几个角隅同时向着一个晶粒内部分批协同式的移动,直至小晶粒被周围大晶粒吞并,形成图1(d)中B区域的大晶粒。

3)图1中C区域中两个比较稳定的大晶粒之间的弯曲晶界沿着曲率中心方向(箭头)移动，出现平直化现象,这是由于弯曲晶界的界面能较高，平直晶界的界面能较低，必然会发生这种向低界面能晶界迁移的现象。

(a)900℃, (b)950℃, (c)1000℃, (d)1050℃, (e)1100℃, (f)1200℃

（a）0min;（b）30min;（c）60min;（d）120min;（e）240min;（f）480min

图2为保温60min时,不同保温温度下奥氏体晶粒的微观组织,可以看出,随着温度的增加，晶粒形状由不规则、晶界弯曲的状态(900℃)转变为晶粒形状近似六边形,晶界平直的状态(≥1050℃)。随着温度的升高,奥氏体平均晶粒尺寸(D)逐渐增加。当温度不高于1000℃时,晶粒尺寸变化较小，晶粒尺寸由900℃时的33.87μm,增加到1000℃的65.23μm,如 图2(a)-(c)所示；温度高于1000℃时，晶粒尺寸迅速增大,由1050℃时的125.51μm增加到1200℃的890.12μm,即晶粒严重粗化，如图2(d)-(f)所示。

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